张永平

作品数：18被引量：37H指数：4
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供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文主题：MPCVD化学气相沉积微波等离子体扫描隧道显微镜超硬材料更多>>
发文领域：理学化学工程一般工业技术电子电信更多>>
发文期刊：《物理学报》《物理》《人工晶体学报》《河北科技大学学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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在Si(111)-(7×7)表面自组织生长二维Ge团簇超晶格被引量：2
《物理学报》2002年第5期1017-1021,共5页闫隆 张永平 彭毅萍 庞世谨 高鸿钧 
国家自然科学基金 (批准号 :6 9770 0 1)资助的课题~~
利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下亚单层Ge在Si(111) (7× 7)表面上的自组织生长 .通过控制Ge的沉积量 ,在Si(111) (7× 7)表面上自组织生长成一种具有六重对称性的二维Ge团簇超晶格 .构成超晶格的Ge团簇均位于 (7× 7)亚...
关键词：扫描隧道显微镜 STM Si(111)-(7×7)表面 二维Ge团簇超晶格 自组织结构 半导体 外延生长 自组织生长 硅衬底 
Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长被引量：5
《物理学报》2002年第2期296-299,共4页张永平 闫隆 解思深 庞世谨 高鸿钧 
国家自然科学基金 (批准号 :6 9770 01;6 0 0 710 0 9)资助的课题~~
用扫描隧道显微镜研究了Si(111) (7× 7)表面上Ge量子点的自组织生长 .室温下用固相外延法在硅基底上沉积亚单层的Ge ,然后在适当的温度下退火可以聚集形成有序的Ge量子点 .由于Ge在Si(111) (7× 7)表面选择性的吸附而形成有序的Ge量...
关键词：锗 硅 扫描隧道显微镜 自组织生长 量子点 表面吸附 Ge Si(111)-(7×7) 半导体 
Ge在Si(111)7×7表面的选择性吸附被引量：4
《物理学报》2001年第11期2132-2136,共5页闫隆 张永平 彭毅萍 庞世谨 高鸿钧 
国家自然科学基金 (批准号 :69770 0 1)资助的课题~~
利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下Ge在Si( 111) 7× 7表面上初期吸附过程 .在Ge所形成团簇中存在一个临界核 .这些Ge团簇的吸附中心总是在三个增原子所围成的区域中 .它们的电子结构具有类似半导体的性质 ,即其局域态密度在...
关键词：扫描隧道显微镜 Si(111)7×7表面 Ge团簇 选择性吸附 费米面 
微波等离子体化学气相沉积法制备C_3N_4薄膜的结构研究被引量：5
《物理学报》2001年第7期1398-1400,共3页张永平 顾有松 高鸿钧 张秀芳 
国家自然科学基金! (批准号 :196740 0 9)&&
采用微波等离子体化学气相沉积法 ,用高纯氮气 (99.999% )和甲烷 (99.9% )作反应气体 ,在单晶Si(10 0 )基片上沉积C3N4薄膜 .利用扫描电子显微镜观察薄膜形貌 ,表明薄膜由密排的六棱晶棒组成 .X射线衍射和透射电子显微镜结构分析说明该...
关键词：微波等离子体 化学气相沉积法 C3N4薄膜 结构研究 
磁控溅射Fe-N薄膜及Fe-N/TiN多层膜的结构和磁性被引量：4
《真空科学与技术》2000年第5期311-314,共4页李华飚 乔祎 周剑平 赵春生 张永平 常香荣 田中卓 
国家自然科学基金重大项目资助!批准号 :19890 310
用磁控溅射法制备了Fe N薄膜和Fe N/TiN多层膜。结果表明 ,在常温下 ,使用较小的氮、氩比溅射 ,生成的Fe N薄膜主要是含氮α Fe固溶体 ,并且N原子进入α Fe晶格是饱和磁化强度提高的一个原因。Fe N/TiN多层膜的层间耦合作用以及减小每一...
关键词：结构 磁性 溅射沉积 FE-N薄膜 Fe-N/TiN多层膜 
MPCVD制备β-C_3N_4薄膜的成分和结构研究
《人工晶体学报》2000年第S1期142-,共1页张永平 顾有松 常香荣 田中卓 时东霞 张秀芳 袁磊 
国家自然科学基金!资助课题 (196 740 0 9)
M .L .Cohcn和A .Y .Liu利用半经验公式和第一性原理计算表明 ,如果C和N能够结合成类似于 β Si3 N4结构的化合物 β C3 N4,由于C N的键长比C C的键长短和键的离子性小 ,它的体弹性模量B约为 483GPa至 42 7GPa ,接近甚至超过金刚石的体...
关键词：C_3N_4膜 微波等离子体化学气相沉积法 弹性模型 
磁控溅射Fe-N单层膜的研究被引量：1
《金属功能材料》2000年第3期27-31,共5页周剑平 李华飚 乔袆 张永平 顾有松 常香荣 赵春生 田中卓 
国家自然科学基金委员会资助项目
本文研究了在不同温度的基片上进行磁控溅射 ,氮流量对Fe N薄膜的磁性和结构的影响。实验表明 ,基片温度为 2 0 0℃有助于提高Fe N薄膜的软磁性能。基片为室温和 10 0℃ ,氮流量在 0～ 2sccm范围内变化时 ,未发现γ' Fe4 N和α″ Fe16N...
关键词：饱和磁化强度 矫顽力 磁控溅射 Fe-N膜 
用微波等离子体CVD制备C_3N_4薄膜被引量：2
《材料研究学报》2000年第3期311-314,共4页张永平 顾有松 常香荣 田中卓 时东霞 张秀芳 袁磊 
国家自然科学基金!19674009
采用微波等离子体化学气相沉积法（MPCVD），使用高纯N2（99．999％）和CH4（99．9％）作反应气体，在多晶Pt（9．99％）基片上沉积C3N4薄膜X射线能潜（EDX）分析结果表明N／C原子比为1．0～1．4；接近C3N4的化学比；X射线衍射谱（XRD...
关键词：微波等离子体 化学气相沉积 β-C3N4 薄膜 制备 
超硬薄膜β-C_3N_4的制备和表征被引量：4
《功能材料》2000年第2期172-174,共3页张永平 顾有松 常香荣 田中卓 时东霞 张秀芳 袁磊 
国家自然科学基金!资助课题 ( 1 9674 0 0 9)
本文采用微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)法 ,用高纯氮气 (99.999% )和甲烷 (99.9% )作反应气体 ,在单晶硅和多晶铂基片上沉积 β -C3N4薄膜。X射线能谱 (EDX)分析了这种晶态C -N膜的化学成分 ,对不同样品的分析结果表明 ,N/C原子比在...
关键词：β-C3N4 超硬薄膜 MPCVD 制备 表征 
基体温度对碳氮薄膜成分和结构的影响被引量：1
《北京科技大学学报》2000年第2期160-162,192,共4页张永平 顾有松 田中卓 常香荣 时东霞 张秀芳 
国家自然科学基金!19674009
采用微波等离子体化学气相沉积法，Ｎ_２／ＣＨ_４作反应气体，在 Ｓｉ（１００）基体上沉积β－Ｃ_３Ｎ_４ 化合物．使用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了基体温度对碳氮薄膜的成分和结构的影响，结果 表明：随着温度的提高，Ｎ／Ｃ...
关键词：成分 MPCVD 基本温度 碳氮薄膜 结构 
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