Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长  

Self-assembled growth of Ge quantum dots on Si(111)-(7×7) surface

作　　者：张永平[1] 闫隆[1] 解思深[1] 庞世谨[1] 高鸿钧[1] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所凝聚态物理中心,北京真空物理实验室北京100080

出　　处：《物理学报》2002年第2期296-299,共4页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :6 9770 01;6 0 0 710 0 9)资助的课题~~

摘　　要：用扫描隧道显微镜研究了Si(111) (7× 7)表面上Ge量子点的自组织生长 .室温下用固相外延法在硅基底上沉积亚单层的Ge ,然后在适当的温度下退火可以聚集形成有序的Ge量子点 .由于Ge在Si(111) (7× 7)表面选择性的吸附而形成有序的Ge量子点 .Self-assembled growth of Ge quantum dots on the Si(111)-(7×7) surface has been investigated by using scanning tunneling microscopy (STM). It is found that the deposited submonolayer Ge can aggregate and form ordered Ge quantum dots on the surface through controlling the post-growth annealing temperature. The formation of ordered Ge quantum dots is due to the preferential adsorption sites of Ge on Si(111)-(7×7).

关 键 词：锗 硅 扫描隧道显微镜 自组织生长 量子点 表面吸附 Ge Si(111)-(7×7) 半导体 

分 类 号：O488[理学—固体物理]