超硬薄膜β-C_3N_4的制备和表征  

Preparation and Characterization of β-C_3N_4 Ultrahard Thin Films

作　　者：张永平[1] 顾有松[1] 常香荣[1] 田中卓[1] 时东霞[2] 张秀芳[2] 袁磊[2] 

机构地区：[1]北京科技大学材料物理系,北京100083 [2]中国科学院北京真空物理实验室,北京100080

出　　处：《功能材料》2000年第2期172-174,共3页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金!资助课题 ( 1 9674 0 0 9)

摘　　要：本文采用微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)法 ,用高纯氮气 (99.999% )和甲烷 (99.9% )作反应气体 ,在单晶硅和多晶铂基片上沉积 β -C3N4薄膜。X射线能谱 (EDX)分析了这种晶态C -N膜的化学成分 ,对不同样品的分析结果表明 ,N/C原子比在 1.1～ 2 .0范围内。X射线衍射结构分析结果与计算的α -和 β -C3N4单相X射线的峰位和强度相比较 ,说明它是α -和 β -C3N4的混合物。FT -IR和Raman谱支持C -N共价键的存在。薄膜的体弹性模量达到 349GPa。C 3N 4 thin films have been prepared on Si and Pt substrates by microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) technique.Gas mixture containing CH 4,N 2 at various ratios were used as the source gas.Energy Dispersive X-ray (EDX) analysis showed that N/C atomic ratios of the films can be ranging over 1.1～2.0.X-ray diffraction experiments showed that the films consisted of α-C 3N 4 and β-C 3N 4.FT-IR and Raman spectra support the existence of C-N covalent bond.The bulk modulus is up to 349GPa.

关 键 词：β-C3N4 超硬薄膜 MPCVD 制备 表征 

分 类 号：TQ174.758[化学工程—陶瓷工业] O484[化学工程—硅酸盐工业]