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作 者:张永平[1] 顾有松[1] 田中卓 常香荣 时东霞[2] 张秀芳
机构地区:[1]北京科技大学材料科学与工程学院,北京100083 [2]中国科学院物理所北京真空物理实验室,北京100080
出 处:《北京科技大学学报》2000年第2期160-162,192,共4页Journal of University of Science and Technology Beijing
基 金:国家自然科学基金!19674009
摘 要:采用微波等离子体化学气相沉积法,N_2/CH_4作反应气体,在 Si(100)基体上沉积β-C_3N_4 化合物.使用X射线光电子能谱(XPS)研究了基体温度对碳氮薄膜的成分和结构的影响,结果 表明:随着温度的提高,N/C原子比迅速提高,a一和C_3N_4在薄膜中的比例随之提高,超过一定 的温度后,N/C原子比将会降低.傅立叶变换红外光谱(FT-IR)和喇曼(Raman)谱结果支持 C-N 键的存在.The carbon nitride thin films have been prepared on Si substrates, using N,/CH. as reactive gases, by microwave chemical vapor deposition method. The effect of substrate temperature on the composition and structure of carbon nitride thin films were studied by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). As the substrate temperature increased, the N/C atomic ratios increased rapidly first and then decreased a little after a crucial temperature. Fourier transform infrared (FT-IR) and Raman spectra support the existence of C-N covalent bond.
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