用微波等离子体CVD制备C_3N_4薄膜  

C_3N_4 THIN FILMS PREPARED BY MICROWAVE PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

作　　者：张永平[1] 顾有松[2] 常香荣[2] 田中卓[2] 时东霞[3] 张秀芳[3] 袁磊[3] 

机构地区：[1]北京科技大学材料物理系 [2]北京科技大学 [3]中国科学院北京真空物理实验室

出　　处：《材料研究学报》2000年第3期311-314,共4页Chinese Journal of Materials Research

基　　金：国家自然科学基金!19674009

摘　　要：采用微波等离子体化学气相沉积法（MPCVD），使用高纯N2（99．999％）和CH4（99．9％）作反应气体，在多晶Pt（9．99％）基片上沉积C3N4薄膜X射线能潜（EDX）分析结果表明N／C原子比为1．0～1．4；接近C3N4的化学比；X射线衍射谱（XRD）说明薄膜生要由β-和α-C3N4组成；X射线光电子谱（XPS）、傅立叶变换红外谱（FT－IR）和喇曼（Raman）谱说明在C3N4薄膜中存在C－N键.C3N4 thin films have been prepared on Pt substrates by microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) method. Energy dispersive X-ray (EDX) analysis showed that N/C ratios of the films were about 1.0~1.4, close to the stoichiometric of C3N4. X-ray diffraction (XRD) results showed that the films consisted of β- and α-C3N4. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Fourier transform infrared (FT-IR) and Raman spectroscopy supported the existence of C-N single bond.

关 键 词：微波等离子体 化学气相沉积 β-C3N4 薄膜 制备 

分 类 号：TB43[一般工业技术] O484[理学—固体物理]