级联型单级分布式宽带单片功率放大器  

MMIC Power Amplifier Using Cascaded Single Stage Distributed Amplifier Configuration

作　　者：曹海勇[1] 陈效建[1] 钱峰[1] 

机构地区：[1]单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2008年第4期501-505,共5页Research & Progress of SSE

基　　金：单片集成电路与模块国家重点实验室基金项目支持(项目号:51491010205DZ6502)

摘　　要：报道了一个采用级联型单级分布式结构的宽带单片功率放大器的设计方法和研制结果。文中通过拓扑比较和人工传输线理论研究,分析出该功放设计的难点,并基于仿真实验,给出解决方案。最终研制的两级单片功放在6～18GHz频率范围内线性增益13.5dB,平坦度±1dB,输入输出驻波比均小于2。全频带上,饱和输出功率为300～450mW,功率附加效率大于15%。该宽带单片功率放大器在100mm GaAs MMIC工艺线上采用0.25μm功率pHEMT标准工艺制作,芯片尺寸为2.7mm×1.25mm×0.08mm。Design approach and performance of a broadband MMIC power amplifier using cascaded single stage distributed amplifier（CSSDA） configuration are presented. CSSDA is a new topology used in broadband amplifier, which has the performance of low VSWR, high gain and facility to cascade over wide frequency band. The MMIC power amplifier has the performance; in the frequency range of 6-18 GHz, small-signal gain of 13.5±1 dB, input/output VSWRs better than 2： 1, 300 to 450 mW output power, and greater than 15 percent power-added efficiency （PAE）. The MMIC amplifier was fabricated by 0.25 um power pHEMT standard process in the 4 inch GaAs MMIC FAB line. The MMIC chip size is 2.7 mm× 1.25 mm × 0. 08 mm.

关 键 词：微波单片集成电路 级联型单级分布式放大器 宽带功率放大器 

分 类 号：TN722.77[电子电信—电路与系统]