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机构地区:[1]哈尔滨工业大学威海国际微电子中心,威海264209
出 处:《微处理机》2008年第6期11-13,16,共4页Microprocessors
摘 要:限幅放大器采用全差分结构,利用有源电感技术和可调节共源共栅结构在1.8伏电源电压下有效地扩展了带宽和提高了增益。限幅放大器在SMIC 0.18μm CMOS工艺下设计完成。增益带宽放大单元采用两级级联,降低了功耗。仿真结果表明限幅放大器具有47dB的差动增益,3GHz带宽,29mW功耗。对于从3.6mVpp到1.2Vpp较宽的输入动态范围,均可保持稳定良好的输出眼图。A fully differential CMOS limiting amplifiers with low voltage drop active inductors and RGC for bandwidth and gain enhancement is presented in this paper. Only two gain - bandwidth stages are used to decrease the power dissipation. The amplifier is designed in a SMIC 0.18μm CMOS technology and a simulation shows a bandwidth of 3GHz, a differential gain of 47dB, and a power dissipation of 29mW from 1.8V power supply. A good output eye diagram can be achieved in a wide dynamic input range from 3.6mVpp to 1.2Vpp.
关 键 词:互补金属氧化物半导体 限幅放大器 有源电感 可调节共源共栅
分 类 号:TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]
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