HgCdTe材料特性及其对红外焦平面列阵性能的影响  

作　　者：Charles A.Cockrum 高国龙 

机构地区：[1]美国圣巴巴拉研究中心

出　　处：《红外》1998年第1期1-8,共8页Infrared

摘　　要：HgCdTe已经成为许多电光系统研制与生产所选用的探测器材料,这些电光系统的应用覆盖 2～16μm红外光谱,工作温度在300 K～40 K范围,背景通量为10^(18)～10^(12)光子/cm^2s。这种成功的基础是,用于制作这些探测器的HgCdTe材料在不断发展和完善。本文对用于描述p^+在n上的HgCdTe二极管的漏泄电流、信号电流及电容的表达式作了分析,以便确定一些重要的材料特性及这些材料特性对最后制成的探测器的性能的影响。为了达到理想的性能,除了寿命、掺杂密度、迁移率和组分之外,还必须对吸收层内的组分渐变加以控制。像尺寸和均匀性之类的参数是同样重要的,为了符合红外焦平面列阵的成本目标,必须重视这些参数。此外,还必须注意,降低红外焦平面列阵成本不能以降低材料质量为代价,因为这样做很可能会产生相反的作用。

关 键 词：汞镉碲 材料性能 红外焦平面阵列 红外探测器 

分 类 号：TN213[电子电信—物理电子学] TN214