面向21世纪的Bi CMOS工艺  

作　　者：汤庭鳌[1] 

机构地区：[1]复旦大学电子工程系

出　　处：《国际学术动态》1998年第2期36-37,49,共3页International Academic Developments

摘　　要：1 会议背景自从1947年第一个双极型晶体管问世以来,已整50个年头了,在这颇具历史意义的时刻,国际1997双极和Bi CMOS电路及工艺会议(BCTM)9月底到10月初在美国明尼苏达州明尼埃帕勒斯市召开。大会邀请了一些对晶体管和集成电路的发明、发展作出过重要贡献的元老们与会。现年75岁的James M.Early,在贝尔实验室工作期间对锗晶体管、硅晶体管和太阳能电池的发展作出了杰出的贡献。在加盟仙童公司后,他又在发展集成电路新工艺——等平面工艺及埋沟CCD方面起了重要作用。

关 键 词：BICMOS电路 BCTM 工艺 集成电路 数字性能 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]