BICMOS电路

作品数:15被引量:22H指数:2
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相关机构:浙江大学复旦大学东南大学中国科学院更多>>
相关期刊:《固体电子学研究与进展》《低温与超导》《浙江大学学报(理学版)》《今日电子》更多>>
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高压BICMOS电路中LDMOS的工艺开发
《功能材料与器件学报》2013年第4期190-193,共4页陆晓敏 王炜 
双RESURF技术的LDMOS具有高耐压、大电流、导通电阻低的特点,通过开发与BICMOS工艺相兼容的相关工艺技术,可以使超高压开关电源电路BL8723得以成功设计,该产品的主要参数与国外同类产品相当。
关键词:LDMOS 注入剂量 高耐压 导通电阻 BICMOS 漂移区 RESURF 
二值动态BiCMOS电路设计被引量:2
《浙江大学学报(理学版)》2008年第6期634-636,640,共4页胡晓慧 沈继忠 
浙江大学城市学院教师科研基金资助项目
动态电路在当前低功耗设计中受到越来越多的关注,而兼具CMOS电路及TTL电路优点的BiCMOS电路的应用日益广泛.本文以一种n型BiCMOS动态电路为基础,提出了一种新的二值动态BiCMOS电路的通用结构及设计方法,根据该结构及方法设计的动态电路...
关键词:动态电路 BICMOS电路 低功耗 
亚微米BiCMOS电路纵向NPN管的ESD保护研究
《电子与封装》2008年第8期39-43,共5页王德进 聂卫东 张炜 李冰 
江苏省自然科学基金(BK2007026)
文章以0.6μmN外延BiCMOS工艺为基础,研究了纵向NPN管的ESD保护行为,并对不同版图结构的纵向NPN管进行了ESD行为研究。实验表明,由于基区的内在电阻不一样,在该工艺条件下,CEB、CEBE结构比CBE、CBEB结构SNAPBACK效应明显,机器模式下ESD...
关键词:ESD保护 纵向NPN 亚微米BiCMOS 
多阈值神经元电路设计及在多值逻辑中的应用被引量:3
《计算机学报》2005年第2期281-288,共8页姚茂群 朱晓雷 沈继忠 
分析了多阈值神经元工作原理,并提出设计多阈值神经元电路的方法.首先,用两个 MOS晶体管组成电压型突触电路,然后又提出一种基于BiCMOS工艺的判别转换开关电路,这种电路以压控电流作为阈值信号,并实现电压到电流的转换.在此基础上,结合...
关键词:多阈值神经元 多值逻辑 基本运算 BICMOS电路 
高速低压低功耗BiCMOS逻辑电路及工艺技术被引量:17
《电子工艺技术》2002年第1期24-27,共4页成立 李彦旭 董素玲 汪洋 
江苏大学 2 0 0 1年青年基金项目;徐州建筑职业技术学院2 0 0 1年科研项目资助
介绍了几种高开关速度、低电源电压等级、低功耗的 Bi CMOS逻辑门电路 ,并分析了它们的工作原理及其工艺技术情况。结果表明 ,这些电路的电源电压可达到 2 .0 V以下 ,而且信号传输延迟较小 ,有的还实现了全摆幅输出 ,因而它们可用于便...
关键词:BICMOS电路 双极互补金属氧化物半导体 集成电路 逻辑电路 
三值BiCMOS电路
《杭州大学学报(自然科学版)》1998年第4期41-47,共7页陈偕雄 金忠鹤 
浙江省自然科学基金
本文在分析二值BiCMOS电路及“开关信号理论”的基础上,用开关级设计方法提出了新的三值BiCMOS电路.与CMOS三值电路相比,新的电路的驱动能力明显要强得多。
关键词:开关理论 BICMOS电路 CMOS电路 集成电路 
面向21世纪的Bi CMOS工艺
《国际学术动态》1998年第2期36-37,49,共3页汤庭鳌 
1 会议背景自从1947年第一个双极型晶体管问世以来,已整50个年头了,在这颇具历史意义的时刻,国际1997双极和Bi CMOS电路及工艺会议(BCTM)9月底到10月初在美国明尼苏达州明尼埃帕勒斯市召开。大会邀请了一些对晶体管和集成电路的发明、...
关键词:BICMOS电路 BCTM 工艺 集成电路 数字性能 
高速节能型门阵列QB-8系列
《今日电子》1996年第11期85-87,共3页李高积 
一、开发背景 BiCMOS门阵列是用于信息处理系统、通信设备和测量仪器中的关键器件,因为它具有高速和高驱动能力等特点。然而,现有的BiCMOS门阵列在功耗、集成规模及价格等方面并不能完全满足市场的需求。
关键词:门阵列 节能型 BICMOS电路 
适用于BiCMOS电路模拟的低温载流子迁移率模型
《固体电子学研究与进展》1996年第2期168-173,共6页吴金 魏同立 
国家自然科学基金;博士点基金
在分析各种主要散射物理机制的基础上,建立起依赖温度、浓度和电场作用的载流子迁移率模型,并将体效应与表面效应有机地结合在一起。该模型物理意义明确、拟合参量适中、精度高、适用范围广,特别适合包含BJT和MOS结构的BiC...
关键词:迁移率 散射 屏蔽 体效应 表面效应 BICMOS电路 
BiCMOS电路可测性设计探讨
《电子学报》1995年第8期86-88,共3页叶波 郑增钰 
本文提出了BiCMOS电路的实用可测性设计方案,该方案与传统方法相比,可测性高,硬件花费小,仅需额外添加一个MOS管和两个控制端,就可有效地用单个测试码测出BiCMOS电路的开路故障和短路故障,减少了测试生成时间,可...
关键词:BICMOS电路 可测性设计 混合集成电路 
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