高压BICMOS电路中LDMOS的工艺开发  

作　　者：陆晓敏 王炜 

机构地区：[1]上海岭芯微电子有限公司

出　　处：《功能材料与器件学报》2013年第4期190-193,共4页Journal of Functional Materials and Devices

摘　　要：双RESURF技术的LDMOS具有高耐压、大电流、导通电阻低的特点,通过开发与BICMOS工艺相兼容的相关工艺技术,可以使超高压开关电源电路BL8723得以成功设计,该产品的主要参数与国外同类产品相当。

关 键 词：LDMOS 注入剂量 高耐压 导通电阻 BICMOS 漂移区 RESURF 

分 类 号：TB34-55[一般工业技术—材料科学与工程]