高速低压低功耗BiCMOS逻辑电路及工艺技术  

Development & Application of Several High-Speed Low-Voltage and Low-Power BiCMOS Digital Circuits

作　　者：成立[1] 李彦旭[1] 董素玲[2] 汪洋[1] 

机构地区：[1]江苏大学电气信息学院,江苏镇江212013 [2]徐州建筑职业技术学院,江苏徐州221008

出　　处：《电子工艺技术》2002年第1期24-27,共4页Electronics Process Technology

基　　金：江苏大学 2 0 0 1年青年基金项目;徐州建筑职业技术学院2 0 0 1年科研项目资助

摘　　要：介绍了几种高开关速度、低电源电压等级、低功耗的 Bi CMOS逻辑门电路 ,并分析了它们的工作原理及其工艺技术情况。结果表明 ,这些电路的电源电压可达到 2 .0 V以下 ,而且信号传输延迟较小 ,有的还实现了全摆幅输出 ,因而它们可用于便携式电子设备和其它 VLSI和Several high-speed,low-supply voltage and low-power BiCMOS logic circuits are presented,and their principle and technique are also analyzed.The result is that the supply voltage of these circuits is down to sub-2.0 V,the delay time is reduced and even the full-swing output is achieved in a few circuits,with the result that they can be used in hand-held units and VLSI & ULSI products.

关 键 词：BICMOS电路 双极互补金属氧化物半导体 集成电路 逻辑电路 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]