检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]华南理工大学高分子光电材料与器件研究所,特种功能材料教育部重点实验室,广州510640
出 处:《物理学报》2009年第3期1992-1996,共5页Acta Physica Sinica
基 金:国家自然科学基金(批准号:50573024;U0634003);国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2009CB623604)资助的课题~~
摘 要:采用可溶液加工的小分子红光材料2为发光层(EML),制备了不同阴极结构的系列电致发光器件.结果表明,空穴阻挡层(HBL)TPBI的引入能有效降低高功函数(Al,Ag,Au)金属阴极的电子注入势垒,显著改善器件发光效率.与传统阴极结构(Ba/Al)比较,采用TPBI/Ag阴极结构的器件外量子效率提高了57%,主要原因是TPBI/Ag阴极界面形成较低的电子注入势垒,有利于电子注入,使器件发光效率明显提高.Soluble small red molecule No. 2 was introduced as the emitter for light-emitting diodes (PLED) with different cathodes. N-arylbenzinmidzoles (TPBI) was used as hole-blocking layer (HBL) to lower cathode barrier and facilitate electron injection.With TPBI/Ag cathode,the quantum efficiency was increased by 57%.The reason for the efficiency increase is that interfacial dipole layer was formed at the interface between TPBI and Ag,and possibly coordinated reaction between Ag and N atom in TPBI leads to a superior contact between TPBI/Ag.
分 类 号:TN312.8[电子电信—物理电子学]
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在链接到云南高校图书馆文献保障联盟下载...
云南高校图书馆联盟文献共享服务平台 版权所有©
您的IP:216.73.216.15