纤锌矿氮化物半导体椭球形量子点杂质态  

Impurity States in Wurtzite Nitride Semiconductor Ellipsoidal Quantum Dots

作　　者：石磊[1] 闫祖威[2] 

机构地区：[1]内蒙古大学物理科学与技术学院,呼和浩特010021 [2]内蒙古农业大学理学院,呼和浩特010018

出　　处：《内蒙古大学学报（自然科学版）》2009年第2期162-166,共5页Journal of Inner Mongolia University：Natural Science Edition

基　　金：国家自然科学基金资助项目(10564003);教育部科学技术研究重点项目资助(208025)

摘　　要：考虑纤锌矿结构氮化物半导体材料的单轴异性后,在有效质量近似下,利用变分法研究了无限高势垒近似下GaN,AlN和InN椭球形量子点中的杂质态,导出了杂质态结合能随量子点半径和椭球率变化的关系.数值计算结果发现,杂质态结合能随着量子点半径和椭球率的增加而减小.Within the effective mass approximation, impurity states in GaN, A1N and InN wurtzite nitride ellipsoidal infinite-potential quantum dots are investigated with a variational method by considering the influence of uniaxial anisotropy. The binding energies of impurity states are calculated as a function of the quantum dot radius and ellipticity. Numerical results show that,the binding energy of impurity states decreases with increasing quantum dot radius and ellipticity.

关 键 词：杂质态 结合能 单轴异性 

分 类 号：O471.3[理学—半导体物理]