梯度掺杂半导体电场强度的数值计算  

Electric Field Strength Numerical Calculation of the Gradient Doping Semicondouction

作　　者：王爱坤[1] 任清华[1] 薛建华[1] 李宏杰[1] 吕树慧[1] 

机构地区：[1]河北科技大学理学院,河北石家庄050018

出　　处：《河北师范大学学报（自然科学版）》2009年第2期189-192,共4页Journal of Hebei Normal University：Natural Science

基　　金：河北省科技攻关计划项目(052135165);河北科技大学青年基金(2006JC-17)

摘　　要：采用累积误差小的Runge-Kutta-Verner方法,热平衡条件下n区厚度为80,100,200μm,分别在指数掺杂和线性掺杂方案下数值求解了掺杂半导体中的电场强度分布.研究发现,在掺杂总量保持不变时,指数掺杂优于线性掺杂.By Runge-Kutta-Verner way of small accumulated error,the electric field strength of 80,100,200 μm thickness semicondouction by their linear doping and exponential doping were respectively numerical calculated at thermal balance condition.When doping total amount is equal,exponential doping is better than linear doping.

关 键 词：光伏电池 梯度掺杂 半导体 Runge-Kutta-Verner方法 

分 类 号：O474[理学—半导体物理]