CMOS反相器辐射加固电路设计  

A Radiation-hardened Circuit Design for CMOS Inverters

作　　者：陈晓东[1] 杜磊[1] 庄奕琪[2] 包军林[2] 张婧婧[1] 曹鹏辉[1] 阎家铭[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学技术物理学院,陕西西安710071 [2]西安电子科技大学微电子学院,陕西西安710071

出　　处：《电子科技》2009年第4期25-28,共4页Electronic Science and Technology

基　　金：国家部委"十一五"预研资助项目

摘　　要：针对CMOS反相器进行了电路级的抗总剂量辐射加固设计,对采用此电路结构反相器的抗总剂量辐射性能,利用电路模拟软件Pspice进行了模拟。模拟结果显示,采用该电路结构的反相器有很好的抗辐射性能。A hardened circuit to total irradiation dose （TID） is designed for CMOS inverters. The TID performance of the inverter utilizing this structure is simulated under psipce, and the simulation results show that the hardened-design circuit improves the rad-tolerance of the inverter.

关 键 词：预兆单元 DC—DC 总剂量辐照 加固设计 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]