多孔硅的发光机制  

作　　者：丛培申 

机构地区：[1]山东省乳山市第一中学

出　　处：《中国教师》2007年第S2期203-203,共1页Teacher’s Journal

摘　　要：光电集成是信息科技发展的必然趋势,然而单晶体硅的禁带宽度窄小(约1.12eV),又属于间接带隙半导体,决定了它不能直接应用于光电器件。直到1990年,Canham发现室温下介孔尺寸多孔硅强烈的光致发光现象,才再一次引发了硅基发光材料的研究热潮。近十几年来,多孔硅的大量研究主要集中在成核机理、

关 键 词：多孔硅 量子限制效应 光致发光 禁带宽度 表面态 光电集成 必然趋势 光电器件 硅基发光材料 间接带隙半导体 

分 类 号：G634.7[文化科学—教育学]