氧压对脉冲激光沉积Si基ZnO薄膜性能的影响  

作　　者：滕晓云[1] 刘彩池[2] 郝秋艳[2] 许贺菊[1] 于威[1] 傅广生[1] 

机构地区：[1]河北大学物理科学与技术学院,河北保定071002 [2]河北工业大学材料学院,天津300130

出　　处：《稀有金属》2007年第S2期9-11,共3页Chinese Journal of Rare Metals

基　　金：河北省自然科学基金(E2006001006);教育部新世纪优秀人才支持计划基金

摘　　要：采用脉冲激光沉积法在Si(111)基片上制备了ZnO薄膜。利用X射线衍射、光致发光、扫描电子显微镜等表征技术研究了工作氧压对ZnO薄膜的结晶特性和光学性能的影响。研究结果表明,氧压的增大,有助于更多的氧原子进入晶格,有效减少薄膜中的缺陷和应力,使ZnO薄膜结构趋于完整,但是过高的氧压将严重地影响薄膜的沉积速率,加剧衬底Si的氧化,从而使薄膜的结晶质量恶化。所有的ZnO薄膜均显示出较强的紫外发光峰,并且结晶性与发光特性有很好的一致性。

关 键 词：ZNO薄膜 氧压 脉冲激光沉积 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]