ZnCdTe-ZnTe多量子阱的谱线增宽  

Spectrum line broadening in ZnCdTe-ZnTe multiple quantum well

作　　者：郑泽伟[1] 范希武[2] 郑著宏[2] 杨宝均[2] 

机构地区：[1]空军气象学院,南京211101 [2]中国科学院长春物理研究所,长春130021

出　　处：《半导体光电》1999年第6期413-415,共3页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：空军基础理论课题资助项目!(KJ9801)

摘　　要：通过对Ｚｎ ｘＣｄ１ － ｘＴｅ－ ＺｎＴｅ 多量子阱的光致发光研究，讨论了该材料的谱线增宽效应。指出材料阱层的组分涨落是激子谱线非均匀增宽的主要来源，而由流体力学性质决定的涨落，在组分张落中起着非常重要的作用。Based on the study of Zn x Cd 1- x Te-ZnTe multiple quantum well,we have investigated the effects of its spectrum line broadening.It is demonstrated that the compositional fluctuation is the main cause of inhomogeneous broadening,whereas the fluid-dynamics-dependent fluctuation plays a very important role in the compositional one.

关 键 词：多量子阱 激子 非均匀增宽 组分涨落 

分 类 号：TN304.22[电子电信—物理电子学]