发光、荧光材料  

出　　处：《中国光学》1997年第4期89-91,共3页Chinese Optics

摘　　要：O482.31 97042730（100）和（111）B GaAs衬底上的In_0.14Ga_0.86As/GaAs量子阱的发光特性和光跃迁能量计算=Photoluminescenceand optical transition in（100）and（111）B oriented In_0.14Ga_0.86As/GaAs strainedquantum wells[刊,中]/张晓波,刘颖,杜国同（吉林大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室.吉林,长春（130023））,殷景志（吉林工业大学理科部.吉林,长春（130030））//半导体学报.—1996,17（8）.

关 键 词：国家重点实验室 发光强度 半导体 蓝光发射 发光多孔硅 光致发光 吉林工业大学 多量子阱结构 吉林大学 中科院 

分 类 号：O482.31[理学—固体物理]