发光多孔硅

作品数：25被引量：41H指数：4
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阳极腐蚀法制备发光多孔硅的正电子湮没研究被引量：2
《广西大学学报（自然科学版）》2011年第5期863-866,共4页梁立欢 李卓昕 王宝义 吴伟明 
国家自然科学基金资助项目(10835006;10705031)
使用正电子湮没寿命谱仪和真空紫外荧光光谱仪,对不同电流密度腐蚀条件下制备的多孔硅进行微结构及发光性能的表征,通过正电子湮没方法研究多孔硅微结构对多孔硅光致发光性能的影响。实验结果表明,随着腐蚀电流密度的增大,电子偶素在样...
关键词：多孔硅 正电子湮没 电流密度 量子限制 阳极腐蚀 
发光多孔硅的制备条件研究
《贵州大学学报（自然科学版）》2009年第2期112-115,共4页彭爱华 谢二庆 
用电化学方法制备了发光多孔硅,研究了电流密度,电阻率,退火条件对多孔硅发光的影响,并对发光机理做了相应的分析;发现了制备方法更为简便的镍酸镧电极取代铝电极工艺。
关键词：多孔硅 光致发光 电化学 
电化学脉冲腐蚀制备均匀发光多孔硅被引量：1
《河南大学学报（自然科学版）》2006年第2期47-49,共3页朱会丽 尹延锋 兰燕娜 莫育俊 
国家自然科学基金项目(10274019)
采用脉冲腐蚀和直流电化学腐蚀两种方法制备多孔硅,对这两种方法制备的多孔硅样品进行了扫描电镜和荧光光谱测量,发现脉冲腐蚀制备的多孔硅样品比直流腐蚀制备的多孔硅样品表面均匀、硅丝或者硅柱的尺寸较小、发光强度大,而且发光峰位...
关键词：多孔硅 脉冲腐蚀 荧光 直流腐蚀 电镜 
发光多孔硅二极管中负阻效应
《电子材料快报》1999年第4期18-18,共1页苏宇欢 
关键词：发光二极管 多孔硅二极管 负阻效应 
发光、荧光材料
《中国光学》1998年第1期92-93,共2页
O482.31 98010638蓝光发射和红光发射多孔硅的XPS分析=XPS investigationon blue and red emitting poroussilicon[刊,中]/郭常新,张学兵（中国科技大学物理系.安徽,合肥（230026））,李碧琳（中国科技大学结构成份开放研究实验室.安徽...
关键词：发光多孔硅 光致发光 发光学 蓝光发射 中国科技大学 红外透射光谱 氧化多孔硅 发光机理 开放研究实验室 红光发射 
国外发光多孔硅的研究评述
《现代科技译丛（哈尔滨）》1997年第4期24-26,共3页吴志峰 王宝辉 
关键词：半导体材料 发光多孔硅 微结构 形成机理 
发光、荧光材料
《中国光学》1997年第4期89-91,共3页
O482.31 97042730（100）和（111）B GaAs衬底上的In0.14Ga0.86As/GaAs量子阱的发光特性和光跃迁能量计算=Photoluminescenceand optical transition in（100）and（111）B oriented In0.14Ga0.8...
关键词：国家重点实验室 发光强度 半导体 蓝光发射 发光多孔硅 光致发光 吉林工业大学 多量子阱结构 吉林大学 中科院 
发光多孔硅的化学传感特征被引量：3
《分析化学》1997年第5期604-609,共6页晋卫军 沈国励 俞汝勤 
国家自然科学基金;湖南省自然科学基金;机械工业发展基金资助项目
发光多孔硅是一种新型的光电器件材料。其荧光的猝灭或增敏，以及其电学特性（电容、电导等）的变化可作为化学传感信息用于化学传感技术。本文评述了自发光多孔硅首次报道以来在化学传感领域的应用研究进展。
关键词：多孔硅 化学传感器 光化学 
发光多孔硅微结构及其发光起源探讨被引量：1
《固体电子学研究与进展》1996年第4期331-335,共5页周咏东 金亿鑫 
用制备发光多孔硅样品的常规电化学方法，在未抛光多晶硅表面，成功地制备出了均匀地发射肉眼可分辨的可见光样品。样品的先致发光光谱得到了测定，证明是一种典型的多孔硅光致发光光谱。用扫描电镜对样品的表面形貌、截面结构进行了详...
关键词：多孔硅 光致发光 多晶硅 扫描电镜 
发光多孔硅的制备及其电化学成膜机制研究
《材料保护》1996年第6期3-4,共2页白新德 柳百新 兰爱东 马春来 蔡俊 
研究了阳极氧化法制备多孔硅的工艺、表面形貌及电化学成膜机制。
关键词：硅 多孔硅 阳极氧化 电化学成膜机制 发光多孔硅 
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