GaAs—Cs—O负电子亲和势表面激活的俄歇能谱和低能电子衍射研究  

作　　者：B.J.Stocker 阎彦娥 

出　　处：《应用光学》1989年第2期21-26,共6页Journal of Applied Optics

摘　　要：用二步激活工艺将GaAs外延层激活成负电子亲和势。该工艺步骤包括:真空热清除和铯、氧激活、随后的第二次加热,使铯部分地解吸,并再次用铯、氧激活。在第一次激活期间,俄歇能谱测量表明光电发射增加到最大值,铯/氧比也增加。这个比值总是小于提供较大光电发射的第二次激活期间的近似常数比。而第一次和第二次激活之后的解吸研究表明,虽然铯俄歇峰值高度在大的温度范围内单调下降,但当增加温度时,氧峰值高度越过一个最大峰值,然后当铯懈吸完成时,氧峰高度迅速降到零。第二次激活后解吸温度稍高一点。低能电子衍射表明铯-氧层是无定形的。

关 键 词：低能电子衍射 CS 负电子亲和势 光电发射 无定形 外延层 单调下降 工艺步骤 下加热 二次加热 

分 类 号：O439[机械工程—光学工程]