负电子亲和势

作品数：55被引量：101H指数：7
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负电子亲和势材料及其在冷阴极中的应用
《真空》2023年第6期1-8,共8页朱韬远 魏贤龙 
国家自然科学基金(62022007)。
从20世纪60年代Ga As被首次发现具有负的电子亲和势起,负电子亲和势材料便被广泛地研究并应用于光电发射、二次电子发射以及冷阴极的制备中。相较于传统发射材料,负电子亲和势材料内部导带底高于表面真空能级,使得材料导带中的电子更易...
关键词：负电子亲和势 电子发射 冷阴极 
光和电注入变带隙AlGaAs/GaAs负电子亲和势阵列阴极理论建模和结构特性分析
《物理学报》2022年第23期396-405,共10页邓文娟 周甜 王壮飞 吴粤川 彭新村 邹继军 
国家自然科学基金(批准号:61961001,11875012,62061001,61771245);江西省自然科学基金(批准号:20181BAB202026,20192ACBL20003,20202BAB202013,20203BBE53030);江西省“双千计划”项目(批准号:jxsq2019201053);江西省教育厅科技项目(批准号:GJJ170451)资助的课题.
为了使具备光和电注入AlGaAs/GaAs负电子亲和势(NEA)阵列阴极获得较高的发射电流效率,基于变带隙发射阵列中电子输运的二维连续性方程,利用有限体积法进行数值求解和仿真,得到发射电流和发射电流效率.通过仿真得到既适合光注入又合适电...
关键词：光注入 电注入 阵列阴极 发射电流效率 
金刚石(001)面在Cu多种覆盖度下的稳定构型与电子特性被引量：2
《人工晶体学报》2021年第9期1640-1647,共8页吴孔平 张冷 王丹蓓 肖柳 陈泽龙 张靖晨 张鹏展 刘飞 汤琨 叶建东 顾书林 
金陵科技学院科研项目(jit-rcyj-202001);国家自然科学基金(61904071)。
金刚石表面的电子特性很容易受到其表面覆盖物的影响,而目前表面稳定、性能优良的表面覆盖层依然处于研究与寻找中。本文研究的过渡金属Cu不仅在半导体微加工中被广泛使用,更由于过渡金属Cu与金刚石都具有优异的散热性能,因此Cu覆盖金...
关键词：金刚石表面 覆盖度 负电子亲和势 电子结构 第一性原理计算 
反射式变掺杂负电子亲和势GaN光电阴极量子效率研究被引量：1
《物理学报》2017年第6期306-312,共7页乔建良 徐源 高有堂 牛军 常本康 
国家自然科学基金(批准号:61371058)资助的课题~~
从变掺杂负电子亲和势(NEA)Ga N光电阴极材料的光电发射机理入手,给出了反射式变掺杂NEA Ga N光电阴极内建电场和量子效率的计算公式.利用初步设计的变掺杂NEA Ga N光电阴极,介绍了变掺杂NEA Ga N阴极的激活过程和激活光电流的变化特点...
关键词：GAN 光电阴极 变掺杂 量子效率 
负电子亲和势GaN光电阴极铯吸附机理研究被引量：5
《光子学报》2016年第4期76-81,共6页乔建良 徐源 高有堂 牛军 常本康 
国家自然科学基金(No.61371058)资助~~
为了得到铯吸附与阴极电子亲和势变化之间的定量关系,利用NEA光电阴极激活评估实验系统对GaN光电阴极进行了铯激活.根据半导体光电发射理论和双偶极层模型,通过对电子亲和势随铯覆盖度变化的实验结果进行拟合运算,得到电子亲和势与铯覆...
关键词：半导体材料 负电子亲和势 双偶极层模型 GAN 光电阴极 光电流 铯吸附 
负电子亲和势GaN阴极光电发射机理研究被引量：1
《材料导报》2016年第8期37-40,共4页李飙 任艺 常本康 陈文聪 
国家自然科学基金(61171042)
GaN阴极中光电子的发射分为价带电子的激发、光生载流子的输运和载流子的发射3个阶段。分析了激发阶段GaN光电阴极中电子吸收入射光产生从价带到导带的跃迁过程和输运阶段导带中的光电子从体内到表面的扩散过程及发射阶段GaN阴极表面光...
关键词：负电子亲和势 GAN 光电阴极 光电发射 激发 输运 激活 
AlGaN光电阴极像增强管
《固体电子学研究与进展》2015年第6期615-,共1页唐光华 申屠军 戴丽英 钟伟俊 杨杰 汪述猛 方盛江 赵文锦 李拂晓 
太阳盲探测AlGaN光电阴极是目前国际上研究的重点之一。AlGaN材料具有探测波段可调、电子亲和势小、热稳定性好等特点,是一种比较理想的有效负电子亲和势(NEA)紫外阴极材料。AlGaN材料中Al含量达到0.3以上,可以实现太阳盲探测。
关键词：ALGAN 光电阴极 负电子亲和势 像增强管 
NEA GaN光电阴极第一性原理研究被引量：1
《红外与激光工程》2015年第9期2752-2756,共5页任彬 石峰 郭晖 江兆潭 程宏昌 焦岗成 苗壮 冯刘 
微光夜视技术重点实验室基金(J20130501)
采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似投影缀加平面波方法,在六方结构Ga N结构优化的基础上,计算了Ga N(0001)A面吸附Cs后功函数变化,指出吸附系统表面形成了一个有效的Ga N-Cs电偶极子层,降低了原本的Ga N表面势垒,形成更加有...
关键词：GAN 第一性原理 可见光盲 负电子亲和势 
真空铟焊的负电子亲和势砷化镓光阴极实验研究
《强激光与粒子束》2015年第7期254-258,共5页潘清 肖德鑫 吴岱 李凯 杨仁俊 王建新 张海旸 刘宇 黎明 
国家重大科学仪器设备开发专项(2011YQ130018);国家自然科学基金项目(11305165;11475159);中国工程物理研究院发展基金项目(2013B0401073;2014B0402069;2014B0402070)
大功率激光加载会使负电子亲和势(NEA)砷化镓(GaAs)光阴极的温度迅速升高,较高的温度对NEA GaAs光阴极的激活层造成了破坏,从而使其量子效率迅速下降。探索了基于FEL-THz装置的NEA GaAs光阴极的真空铟焊工艺,搭建了GaAs真空铟焊平台,并...
关键词：负电子亲和势砷化镓光阴极 真空铟焊 阴极工作寿命 量子效率 
负电子亲和势砷化镓光阴极热发射度测量
《原子能科学技术》2015年第B10期643-647,共5页吴岱 潘清 肖德鑫 李凯 杨仁俊 王建新 张海旸 
国家自然科学基金资助项目(11305165;11475159;11505173;11575264);国家重大科学仪器设备开发专项资助项目(2011YQ130018);中国工程物理研究院发展基金资助项目(2014B0402069;2014B0402070)
作为未来高平均功率、高亮度电子源的重要材料之一,负电子亲和势砷化镓(NEA-GaAs)光阴极发射的电子束亮度一直以来都是国际上的研究热点。热发射度是电子束能够实现的发射度下限,测量热发射度有利于确定注入器能否提供高亮度的电子束。...
关键词：热发射度 砷化镓光阴极 高压直流电子枪 螺线管扫描法 
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