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作 者:朱韬远 魏贤龙[1] ZHU Tao-yuan;WEI Xian-long(Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices and School of Electronics,Peking University,Beijing 100871,China)
机构地区:[1]北京大学电子学院纳米器件物理和化学教育部重点实验室,北京100871
出 处:《真空》2023年第6期1-8,共8页Vacuum
基 金:国家自然科学基金(62022007)。
摘 要:从20世纪60年代Ga As被首次发现具有负的电子亲和势起,负电子亲和势材料便被广泛地研究并应用于光电发射、二次电子发射以及冷阴极的制备中。相较于传统发射材料,负电子亲和势材料内部导带底高于表面真空能级,使得材料导带中的电子更易于从表面发射到真空中,因此该类型材料成为电子发射的理想材料。本文从定义、主要材料分类以及在冷阴极中的应用三个部分介绍了负电子亲和势材料,并对该材料应用的瓶颈和未来发展方向做了简要总结。Since GaAs was first discovered to have a negative electron affinity in the 1960s,negative electron affinity(NEA)materials have been widely studied and used in photoelectron emission,secondary electron emission and cold cathode.Compared with conventional emitting materials,the conduction band minimum of bulk NEA materials is higher than their surface vacuum energy level,which makes it easier for electrons in the conduction band to be emitted from the surface into the vacuum,and therefore these materials are ideal for electron emission.This paper introduces the NEA materials from the definition,main material classification and applications in cold cathodes,and gives a conclusion of the bottleneck and future development direction of NEA material.
分 类 号:TN304[电子电信—物理电子学] TN303
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