LC-11型强流离子注入机晶片电荷积累效应分析  

ANALYSIS ON WAFER CHARGING IN LC 11 HIGH CURRENT ION IMPLANTER

作　　者：陈林[1] 

机构地区：[1]电子工业部第四十八研究所

出　　处：《微细加工技术》1998年第2期14-17,共4页Microfabrication Technology

摘　　要：通过讨论强流离子注入过程中晶片电荷积累所引起的一系列问题，分析了ＬＣ－１１型强流离子注入机防晶片电荷积累的有效性。fter discussing the problems affected by wafer charging in high current ion implantation,the effectivity on preventing wafer from charging in LC 11 high current ion implanter is analyzed.

关 键 词：强流离子注入机 晶片电荷积累 电子淋浴器 ULSI 

分 类 号：TN405.3[电子电信—微电子学与固体电子学]