内腔接触氧化限制型垂直腔面发射激光器小信号调制特性研究  

Study on the Small Signal Modulation Characteristic of Internal-Contact Oxide-Confined Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers

作　　者：王同喜[1] 郭霞[1] 关宝璐[1] 沈光地[1] 

机构地区：[1]北京工业大学北京市光电子技术实验室,北京100124

出　　处：《中国激光》2009年第5期1057-1061,共5页Chinese Journal of Lasers

基　　金：国家自然科学基会(60506012);国家973计划(2006CB604902);霍共东基金(101062);国家863计划(2006AA03A121);教育邮新眦纪优秀人才计划项目(39002013200801);北京市青年骨干教师培养计划项目(J2002013200801);北京工业大学研究生科技基金(ykj20071594)资助课题

摘　　要：建立了一种适用于多量阱垂直腔面发射激光器(VCSEL)的多层速率方程模型。在理论与实验基础上,对器件进行小信号分析,得到了光子密度、载流子俘获、逃逸和隧穿时间等关键参数对VCSEL频率响应特性的影响。结果表明VCSEL调制带宽会随着输出功率增大而变宽。并进一步研究了内腔接触氧化限制型VCSEL的寄生电参数及其寄生电路,对其小信号频率响应进行了模拟分析。A rate equation model of multi-quantum wells vertical-cavity surface-emitting laser （VCSEL） is presented after theoretical analysis. The effects of photon density and the carrier capture-escape-tunnel time on the frequency response of VCSEL are simulated by the small signal analysis. The results both of simulation and experiment show that the modulation bandwidth of VCSEL is broadened with the power increasing. In addition, we simulate the small signal frequency response of the parasitic circuit of internal-contact oxide-confined VCSEL after analyzing its parasitic parameters.

关 键 词：垂直腔面发射激光器 调制特性 速率方程 寄生参数 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]