锗/氧化硅和碳/氧化硅薄膜电致发光的比较研究  

作　　者：李勇[1] 马书懿[1] 蔡利霞[1] 李锡森[1] 

机构地区：[1]西北师范大学物理与电子工程学院,甘肃兰州730070

出　　处：《甘肃科技》2009年第7期56-57,共2页Gansu Science and Technology

基　　金：国家自然科学基金资助项目(10874140);甘肃省自然科学基金资助项目(0710RJZA105)

摘　　要：分别以锗-氧化硅和碳-氧化硅复合靶作为溅射靶,采用射频磁控共溅射技术在p型硅衬底上淀积了含纳米锗的氧化硅薄膜Ge/SiO2和含纳米碳的氧化硅薄膜C/SiO2。将各样品在氮气氛中经过600℃退火处理30min,然后,在p型硅衬底背面蒸镀铝电极,并经过合金形成良好的欧姆接触,最后,在纳米薄膜上蒸镀半透明的Au膜以形成Au/Ge/SiO2/p-Si和Au/C/SiO2/p-Si结构。当正向偏压在5-12V时,对两种结构的电致发光谱（EL）进行了测量,并对其发光机制进行了讨论。

关 键 词：Ge/SiO2 C/SiO2 电致发光 发光中心 

分 类 号：O472.3[理学—半导体物理]