分子器件电路中的混沌效应  

Chaos in Circuits Based on the Molecular Device

作　　者：刘志勇[1,2] 刘维清[2] 夏英英[2] 周艳红[3] 

机构地区：[1]江西师范大学物理与通信电子学院,江西南昌330022 [2]江西理工大学理学院,江西赣州341000 [3]赣南医学院信息工程学院,江西赣州341000

出　　处：《江西师范大学学报（自然科学版）》2009年第2期138-140,共3页Journal of Jiangxi Normal University(Natural Science Edition)

基　　金：国家自然科学基金(10404010);江西省教育厅科技计划(赣教技字[2006]112号)资助项目

摘　　要：大多数分子器件存在负微分电阻效应,其伏安特性曲线具有明显的非线性.该文基于数值计算方法考查了Si4分子器件构成电路中的动力学行为,通过计算Si4分子器件构成电路方程的李雅谱诺夫指数,可以在合适的参数区间内观察到混沌动力学行为.Voltage-current curve has obvious characteristics of the nonlinear because of negative differential resistance effect of most of molecular devices. The dynamics of the circuit based on the Sit molecular device is explored nummerically. Chaos dynamics is observed in the Sit molecular device based circuit for proper circuit parameters, which is confirmed by the positive maximium lyapunov exponent.

关 键 词：分子器件 负微分电阻 混沌电路 庞加莱截面 李雅谱诺夫指数 

分 类 号：O415[理学—理论物理]