InP基HBT GP大信号模型直流参数提取的研究  

Research of DC Parameter-Extraction on InP-Based HBT GP Large-Signal Model

作　　者：胡钉[1] 黄永清[1] 吴强[1] 李轶群[1] 黄辉[1] 任晓敏[1] 

机构地区：[1]北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京100876

出　　处：《电子器件》2009年第2期285-290,共6页Chinese Journal of Electron Devices

基　　金：国家"973"项目资助(2003CB314900);教育部"新世纪人才支持计划"资助项目(NCET-05-0111);高等学校学科创新引智计划资助(B07005);教育部"长江学者和创新团队发展计划资助(IRT0609);国家"863"计划项目资助(2006AA03Z416);国家"863"计划项目资助(2007AA03Z418)

摘　　要：基于HBT特殊的物理机理及结构,将适用于BJT的GP大信号模型用于InP基HBT的研究中。通过构建误差函数,采取解析法提取了该模型中的13项SPICE直流参数,并设计了参数提取实验装置,最后将研究结果用于发射极为2μm×19μm的InP/InGaAs HBT建模中。通过对比模型仿真和器件实测的数据可以看出,本文采用的HBT GP模型准确度高,可以较好地表征实际HBT器件的直流特性。Considering the special based HBT （GP model was used physical theory and structure, we used for BJT previously）. By constructing GP large signal model for InPerror function, we extracted 13 SPICE DC parameter in this model with analytic method and designed the Parameter-extraction measurement devices, finally the InP/InGaAs HBT of 2 μm× 19 μm emitter size was modeled based on the above results. By comparison between simulated results of the extracted model and measured data, the model has a good agreement with DC characteristics of fabricated HBT.

关 键 词：HBT GP大信号模型 参数提取 直流特性 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]