GaAlAs薄膜和GaAs的热微分反射光谱  

Thermal Differential Reflectance Spectroscopy of GaAlAs thin Films and GaAs Bulk

作　　者：戴宁[1] 冯金福 张雷[1] 陈良尧[1] 陆卫[2,3] 刘兴权[2,3] 仲嘉林 

机构地区：[1]复旦大学李政道物理学综合实验室物理系 [2]中国科学院上海技术物理研究所 [3]红外物理国家重点实验室 [4]常熟高等专科学校物理系

出　　处：《Journal of Semiconductors》1998年第7期552-556,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：本文描述利用光扫描和外加温度梯度获得热微分反射光谱的方法，以及用这种方法研究ＧａＡｌＡｓ薄膜和ＧａＡｓ体材料的结果．热微分反射光谱显示了材料在一定波长范围内所有的临界点结构，这些结构主要由临界点能量随温度的变化所引起．研究表明这种微分光谱具有简单易行，不破坏样品等特点，并且对研究较薄的材料显示了很高的灵敏度．Abstract This paper describes the way to obtain thermal differential reflectance spectra by light scanning and external applied temperature gradient and its application on GaAlAs thin film and GaAs bulk. Thermal differential reflectance spectra reveal all the critical points in the given wavelength range induced by the variation of the temperature. Our research suggests that the method is simple and easy to use. In addition, the method does not destroy the samples and has extremely high sensitiviy to thin materials.

关 键 词：半导体 砷化镓 热微分反射光谱 镓铝砷 

分 类 号：TN304.26[电子电信—物理电子学] TN304.23