离子注入HgCdTe红外反射谱  

The IR Reflection Spectra of HgCdTe by Ion Implantation

作　　者：刘心田[1] 叶红娟[1] 刘兴海[1] 诸君浩[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理所红外物理国家实验室

出　　处：《激光与红外》1998年第3期183-185,共3页Laser & Infrared

摘　　要：运用反射色散方法分析离子注入ＨｇＣｄＴｅ的损伤特性，文中提出了注入区多层模型与实验测量符合。

关 键 词：碲镉汞 离子注入 表面物理 半导体材料 

分 类 号：TN305.3[电子电信—物理电子学]