自旋电子学：可望使下一代存储器得以突破  

作　　者：邓志杰（摘译） 

出　　处：《现代材料动态》2009年第6期2-4,共3页Information of Advanced Materials

摘　　要：自旋极化电流将使光盘驱动上的数字存储发生革命性变化，自旋电子学的下一步是用磁隧道结代替闪速存储器，制成磁性随机存取存储器（MRAM）。

关 键 词：自旋电子学 闪速存储器 随机存取存储器 数字存储 光盘驱动 极化电流 磁隧道结 革命性 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构] TN6[自动化与计算机技术—计算机科学与技术]