基于SETMOS的CNN结构分析及实现  

Analysis and implementation of the CNN structure based on SETMOS

作　　者：张南生[1] 何花[1] 金贵梅 蔡理[1] 

机构地区：[1]空军工程大学理学院,陕西西安710051 [2]山东日照职业技术学院,山东日照276800

出　　处：《电子元件与材料》2009年第7期24-26,29,共4页Electronic Components And Materials

摘　　要：分析了单电子晶体管(SET)和金属氧化物半导体(MOS)的混合器件——SETMOS所具有的特性,利用补偿原理设计了细胞神经网络(CNN)结构的细胞体电路、分段线性模块、A模板和B模板电路,得到了由SETMOS构成的CNN具体电路。仿真结果表明,所设计的硬件电路结构简单,静态功耗低,约200nW,有利于进一步提高集成电路的集成度,为相关工程领域的实际应用提供了新方法。Analyzed the characteristic of nonlinearity of the hybrid device of single electron transistor and metallic oxidation semiconductor （SETMOS）, with the offset principle, the main building blocks including cell body circuit, piecewise linear module, A and B template circuits were designed. The circuit of cellular neural network （CNN） was constructed by SETMOS. The simulation results show that the designed circuits have the simple structure, low static power loss （about 200 nW） and for further improving the density of integrated circuit. It also provides a new method for the practical application in relative engineering field.

关 键 词：SETMOS 细胞神经网络 细胞体电路 非线性 

分 类 号：TN453[电子电信—微电子学与固体电子学]