ZnO薄膜离子注入改性的研究进展  

Progress in Ion Beam Modification of ZnO Thin Films

作　　者：薛书文[1] 梅芳[1] 肖世发[1] 黄子康[1] 莫东[1] 

机构地区：[1]湛江师范学院物理系,广东湛江524048

出　　处：《液晶与显示》2009年第3期367-371,共5页Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays

基　　金：湛江师范学院科研项目(No.L0503)

摘　　要：ZnO是一种在短波长光电器件领域有巨大应用价值的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,离子注入是常用的半导体掺杂技术,文章综述了国内外近年来离子注入技术在ZnO的n、p型掺杂等方面的研究进展。Zinc oxide （ZnO）, an important Ⅱ-Ⅵ semiconductor, has potential applications in short wavelength optoelectronics. Ion implantation is a conventional technique widely used in semiconductor industry. This paper summarized the developments and applications of ion implantation in fabrication of n- or p-type ZnO, etc.

关 键 词：氧化锌 离子注入 掺杂 

分 类 号：TN305.3[电子电信—物理电子学]