GaP LPE半导体材料的扫描电子显微镜研究  

The Study of GaP LPE Semiconductor Material Useing SEM

作　　者：李永良[1] 杨锡震 李桂英 王亚非 

机构地区：[1]北京师范大学分析测试中心,北京100875

出　　处：《现代仪器使用与维修》1998年第3期18-20,共3页Modern Instruments

摘　　要：本文论述了用扫描电子显微镜研究GaP LPE半导体材料,二次电子像用于分析样品的表面形貌,电子束感生电流像(EBIC)用于显示p-n结的位置,定量EBIC用以确定少子扩散长度和表面复合速度等重要参量。GaP LPE semiconductor material has been studied in this paper. The surface micrograph is analyzed by second electron (SE) image.The site of p- n junction is displayed by electron beam induced current (EBIC) image. Some important parameters (minority diffusion length, surface recombination parameters) are obtained by quantitative EBIC.

关 键 词：二次电子像 电子束感生电流 磷化镓 SEM 半导体 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] TN16