AlGaAs/GaAs HBT E-M 模型直流参数的修正  

Modification of DC Parameters in the AlGaAs/GaAs HBT E M Model

作　　者：廖小平[1] 魏同立 

机构地区：[1]东南大学微电子中心

出　　处：《东南大学学报（自然科学版）》1998年第4期24-28,共5页Journal of Southeast University：Natural Science Edition

摘　　要：在ＳｉＢＪＴＥＭ模型基础上，对其直流参数进行了修正，使其适应于ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ的直流特性：电流增益不是常量和自热效应．计算机模拟值与实测值在中电流和较大电流时相当吻合，这一结果支持了ＨＢＴ电路模拟．On the base of Si BJT E M model, we modifies the DC parameters in order to let the model be suit for N p n AlGaAs/GaAs HBTs DC characters: the current gain β F is not a constant and the self heating effects. The simulating results support the measurements when the HBT is operated during the middle and bigger currents.

关 键 词：E-M模型 直流参数 异质结双极型 晶体管 

分 类 号：TN325.3[电子电信—物理电子学]