检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:文军[1]
机构地区:[1]渭南师范学院物理与电子工程系,陕西渭南714000
出 处:《中国材料科技与设备》2009年第4期48-50,共3页Chinese Materials Science Technology & Equipment
基 金:基金项目:陕西省教育厅科研计划资助项目(08JK287);渭南师范学院科研基金项目(09YKS004)
摘 要:通过射频磁控溅射技术在玻璃衬底和Si(111)村底上制备了Zn0.96Nd0.04O薄膜。XRD分析表明,Zn0.96Nd0.04O薄膜是具有C轴择优生长的纳米多晶薄膜,Nd以替位原子的形式存在于ZnO晶格,Nd掺杂没有改变ZnO晶格结构。从AFM图中看出,薄膜表面形貌较为粗糙,Si衬底薄膜的晶粒具有规律且晶粒尺寸大于玻璃衬底。The Zn0.96Nd0.04O thin films were deposited on glass substrate and Si(111) substrate by RF magnetron sputte- ring, The X-ray diffraction(XRD) analysis revealed that Zn0.96Nd0.04O thin films was highly c-axis orientation and the thin films are nano-multi-crystal. The films with roughness surface morphology were observed by atomic force microscopy (AFM), the thin films' grains which on Si substrate was larger than glass substrate.
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