拓扑绝缘体研究取得重要进展  

出　　处：《中国科学院院刊》2009年第4期433-433,共1页Bulletin of Chinese Academy of Sciences

摘　　要：物理所／北京凝聚态物理国家实验室张海军博士、戴希研究员、方忠研究员等与美国斯坦福大学合作，预言了一类新的强拓扑绝缘体材料系统（Bi2Se3, Bi2Te3 and Sb2Te3）。他们从理论和计算上系统地探讨了这类材料成为强拓扑绝缘体的物理机制，给出了描述该狄拉克点的KP哈密顿量，并且计算了类APRES电子谱图。这类拓扑绝缘体材料有着独特的优点：首先，这类材料是纯的化学相，非常稳定且容易合成；第二，这类材料表面态中只有一个狄拉克点存在，是最简单的强拓扑绝缘体，这种简单性为理论模型的研究提供了很好的平台；第三，也是非常吸引人的一点，该材料的体能隙非常大，

关 键 词：绝缘体材料 强拓扑 美国斯坦福大学 材料系统 凝聚态物理 BI2TE3 国家实验室 物理机制 

分 类 号：O177.3[理学—数学] TN715[理学—基础数学]