TFEL发光层体内的点缺陷及其作用  

作　　者：娄志东[1] A.N.Georgobiani 徐征[3] 徐春祥[4] 藤枫 徐叙 

机构地区：[1]天津大学应用物理系 [2]P.N.LebedevPhysicalInstitute,RussianAcademyofSciences [3]北方交通大学物理系 [4]天津理工学院材料物理所 [5]中国科学院长春物理研究所激发态开放实验室,长春130021

出　　处：《科学通报》1998年第11期1210-1214,共5页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金!(批准号 :192 34 0 30 )重点资助项目;1996年中国国家自然科学基金委员会;俄罗斯基础研究基金

摘　　要：通过对薄膜的光致发光谱的测量 ,研究了分层优化的ZnS∶Er3 + 薄膜电致发光器件的发光层体内点缺陷的种类及其在禁带中的能级位置 .结果表明 :ZnS∶Er3 + 体内除了作为发光中心的替位铒离子ErZn外 ,主要的点缺陷是S空位VS、Zn空位VZn、浅施主ClS 和FS、深受主Cu+ 等 .S空位是双施主能级 ,V1+ S 和V2 + S 分别位于导带底 1 36和 2 36eV处 ;Zn空位是双受主能级 ,V1-Zn 和V2 -Zn 距价带顶分别约为 1 0 0和 1 5 0eV ;Cu+能级位于价带顶 1 2 6eV处 .另外 ,还讨论了上述点缺陷对薄膜电致发光的影响 .通过S空位的俄歇型无辐射能量转移 ,降低了稀土掺杂的ZnS薄膜电致发光器件的短波发射强度 ;ClS 和FS 的场发射及Zn空位的碰撞离化是发光层内产生空间电荷的两个可能的因素 .

关 键 词：光致发光谱 点缺陷 薄膜电致发光 TFEL器件 

分 类 号：TN383.1[电子电信—物理电子学] O484.41[理学—固体物理]