TFEL器件

作品数：29被引量：13H指数：2
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氮化铝薄膜发光性能研究进展被引量：2
《真空》2007年第2期22-26,共5页佟洪波 巴德纯 肖金泉 闻立时 
介绍了AlN薄膜物理性质及制备方法;综述了AlN薄膜作为薄膜电致发光(TFEL)器件发光层的研究现状;对AlN薄膜发光性能的应用前景做了展望。
关键词：ALN薄膜 发光 TFEL器件 
薄膜型电致发蓝光材料的研究
《材料导报》2004年第1期72-75,共4页范畴 熊惟皓 
通过对无机、有机薄膜型电致发蓝光材料的综述,表明在大面积平板显示方面,有机高分子薄膜型电致发蓝光材料具有独特的技术优势;纳米级电致发蓝光材料有着巨大的发展潜力。
关键词：薄膜型电致发蓝光材料 显示器 化学稳定性 TFEL器件 发光机理 
薄膜场致发光显示的研究进展被引量：1
《物理》1999年第2期73-79,共7页许秀来 徐征 
国家自然科学基金;国家863高技术资助
描述了薄膜场致发光（ＴＦＥＬ）显示的电学和光学性质．介绍了夹层结构，它等效于齐纳二极管组成的线路．分析了影响亮度和效率的因素，主要是发光中心浓度、电子的能量和发光体的结晶状态．为了提高电子能量，提出了分层优化方案，它...
关键词：电致发光 薄膜 平板显示 场致发光 TFEL器件 
SrS/α-SiO_2界面的XPS研究被引量：1
《化学学报》1998年第10期999-1003,共5页徐春祥 徐征 徐叙瑢 娄志东 吴建新 季明荣 
TFEL器件中绝缘层与发光层之间的界面对电荷的输运特性、发光特性等有着十分重要的作用.本文通过XPS的测量,分析了新结构器件中SrS/a-SiO_2界面的各成分的芯电子能谱的变化和深度分布,发现Sr^(2+)向SiO_2中扩散较深并以氧化物的形态存在...
关键词：界面 XPS 硫化锶 二氧化硅 TFEL器件 蓝光 
薄膜电致发光〔TFEL)用荧光粉的技术发展动态被引量：1
《真空电子技术》1998年第3期21-26,共6页季旭东 
荧光粉的技术进步在ＴＦＥＬ器件的发展中起着举足轻重的作用。本文分门别类地对各种ＴＦＥＬ用荧光粉作了介绍，并从它们的工艺、性能及结构等方面论述了ＴＦＥＬ用荧光粉的技术发展动态。
关键词：电致发光 荧光粉 薄膜 TFEL器件 
TFEL发光层体内的点缺陷及其作用被引量：4
《科学通报》1998年第11期1210-1214,共5页娄志东 A.N.Georgobiani 徐征 徐春祥 藤枫 徐叙 
国家自然科学基金!(批准号 :192 34 0 30 )重点资助项目;1996年中国国家自然科学基金委员会;俄罗斯基础研究基金
通过对薄膜的光致发光谱的测量 ,研究了分层优化的ZnS∶Er3 + 薄膜电致发光器件的发光层体内点缺陷的种类及其在禁带中的能级位置 .结果表明 :ZnS∶Er3 + 体内除了作为发光中心的替位铒离子ErZn外 ,主要的点缺陷是S空位VS、Zn空位VZn、...
关键词：光致发光谱 点缺陷 薄膜电致发光 TFEL器件 
Ce^(3+)在硫氧化物中的TFEL
《科学通报》1998年第12期1281-1284,共4页于磊 娄志东 徐春祥 徐征 徐叙瑢 
国家自然科学基金!(批准号 :193340 31)
采用基质混合的方法制备了新的TFEL材料ZnSXO1-X∶Ce3+ .在相同的Ce3+ 掺杂浓度下ZnSXO1-X∶Ce3+ EL亮度高于ZnS∶Ce3+ 一个量级以上 ,其发光波长范围为 4 0 0～ 6 0 0nm .ZnSXO1-X∶Ce3+
关键词：薄膜电致发光 硫氧化物 铈离子 TFEL器件 
分层优化结构的SrS:Ce TFEL器件的基本特性
《光电子．激光》1998年第1期16-18,共3页徐春祥 马龙 徐征 娄志东 刘行仁 
国家自然科学基金
本文采用了分层优化结构，用电子束蒸发的方法制备ＳｒＳ：ＣｅＴＦＥＬ器件，获得了明亮的蓝绿发光，测量了发光亮度，传导电荷，发光效率等基本参量与驱动电压的关系；通过发光波形的测量，讨论了ＳｒＳ：Ｃｅ的发光机理，发现这一结...
关键词：分层优化 发光亮度 发光效率 平板显示器材 
TFEL器件发光层的电场随外电压的变化
《发光学报》1996年第4期337-340,共4页滕枫 娄志东 徐征 候延冰 
国家自然科学基金资助项目
本文利用弗朗兹-凯尔迪效应研究了TFEL器件发光层中的电场随外加电压的变化。用此方法算得的发光层中的电场同把器件各层当作只起绝缘作用的电介质时算得的电场强度,虽然数量级相同,但数值上有差别,特别当外加电压达到发光阈值电压时,...
关键词：电致发光 TFEL器件 电场 电压 
阴离子空位对Sr（S,Se）：Ce,Cl TFEL器件发光色度的影响
《发光快报》1995年第6期12-14,共3页赵月英 
关键词：电致发光器件 色度 阴离子空位 锶 铈 
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