异质结绝缘栅场效应晶体管（HIGFETS）高场区静态特性模型和泄漏电流研究  

作　　者：顾聪 王德宁 

出　　处：《科技通讯（上海船厂）》1990年第4期20-28,共9页

关 键 词：HIGFETS 静态特性模型 栅泄漏模型 

分 类 号：TN386.2[电子电信—物理电子学]