云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- HIGFETS

HIGFETS: 作品数：4被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：王渭源王德宁顾聪更多>>; 相关机构：中国科学院上海冶金研究所更多>>; 相关期刊：《Journal of Semiconductors》《Journal of Electronics(China)》《科技通讯（上海船厂）》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金更多>>

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i-GaAlAs/GaAs HIGFETs器件参数的有限元分析: 《电子科学学刊》1992年第5期550-554,共5页顾聪王德宁王渭源; 国家自然科学基金资助课题; 本文用有限元法对 i-GaAlAs/GaAs HIGFETs的稳态特性进行了二维数值模拟和分析。为了在有限内存的微机中,进行快速计算,在程序中,对边界条件,网格剖分和初值选取等方面进行了改进。使计算的收敛速度和精度有了提高。可方便地得到器件内...; 关键词：绝缘栅场效应晶体管有限元模拟

ANALYTICAL RESEARCH ON THE STATIC CHARACTERISTICS OF HETEROSTRUCTURE ISOLATED GATE FIELD-EFFECT TRANSISTORS: 《Journal of Electronics(China)》1992年第2期122-128,共7页王德宁顾聪王尉源; Based on improved charge control model and combining GSW velocity-field equa-tion, a series of analytical solutions for the static characteristics of HIGFETs such as I_D-V_D-V_G,I_DS<...; 关键词：HIGFETS Low-field CHARACTERISTICS Structure parameters Static CHARACTERISTICS

异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFETs)高场区静态特性模型和栅泄漏电流研究: 《Journal of Semiconductors》1990年第12期922-930,共9页顾聪王德宁王渭源; 国家自然科学基金; 本文在改进型电荷控制模型基础上,结合GSW速度场特性,提出了适用于HIGFETs器件的新的高场区(I_D>I_(Ds))的静态特性模型,从而导出了I-V,I_(Ds)-V_(Ds),g_(ms),g_D和C_G等参数的解析表示式。计算结果和文献实测值符合甚好。在此基础上,...; 关键词：HIGFETS 静态模型栅泄漏电流

异质结绝缘栅场效应晶体管（HIGFETS）高场区静态特性模型和泄漏电流研究: 《科技通讯（上海船厂）》1990年第4期20-28,共9页顾聪王德宁; 关键词：HIGFETS 静态特性模型栅泄漏模型

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