采用改进型钝化层的红外光电二极管及传感器列阵  

作　　者：高 

出　　处：《红外》2009年第8期31-31,共1页Infrared

摘　　要：美国专利US7544532 （2009年6月9日授权）本发明提供采用改进型钝化层的InSb红外光电二极管及传感器列阵,同时还提供了其制作方法。该方法的具体步骤如下：在n型衬底中形成光电二极管探测器区之前,用分子束外延技术在n型InSb衬底上沉积一层AlInSb钝化层 直接通过该AlInSb钝化层注入一种合适的P~＋掺杂剂,以形成光电二极管探测器区 有选择地去除AlInSb钝化层,使InSb衬底的第一区暴露出来,然后在InSb衬底第一区形成栅接点;

关 键 词：光电二极管 钝化层 传感器 改进型 列阵 红外 分子束外延技术 INSB 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学] TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]