透明导电ZnO∶In薄膜光电性能的研究进展  

Research Advances of Opto-electrical Properties of Transparent Conductive ZnO∶In Films

作　　者：方亮[1,2] 彭丽萍[1] 杨小飞[1] 周科[1] 吴芳[1] 

机构地区：[1]重庆大学应用物理系,重庆400044 [2]重庆大学光电技术及系统教育部重点试验室,重庆400044

出　　处：《材料导报》2009年第15期29-34,共6页Materials Reports

基　　金：重庆市自然科学基金(CSTC2007BB4137);重庆大学研究生创新基金(No.200904AlB0010314);重庆大学"211工程"三期创新人才培养计划建设项目(S-09109);重庆大学大型设备开放基金

摘　　要：本征ZnO是高阻材料,如何对其进行掺杂,提高其光电性能,制备出高质量的ZnO薄膜是实现其应用的关键。从晶体结构和能带结构、影响光电性能的因素、透明导电机制、提高光电性能的途径等方面综述了In掺杂ZnO(ZnO∶In)薄膜光电性能的研究进展,提出了降低ZnO∶In薄膜电阻率和提高透光率的有效途径,并对未来的发展方向进行了简要说明。Undoped ZnO films exhibits high resistivity, thereby, how to enhance its electrical and optical properties by doping is a key for its application. In present paper, the recent progress of the studies on In-doped ZnO （ZnO ： In） thin films based on its crystallinity structure, band structure, conductiving mechisium and the factors to affect the opto-eleetrical properties of the films are summarized. The ways to decrease the resistivity and enhance the transmittance of ZnO ： In thin film are the direction of the future development are proposed briefly.

关 键 词：宽禁带半导体材料 ZnO∶In薄膜 光学性质 电学性质 

分 类 号：TN304.21[电子电信—物理电子学] TN304.055