VDMOS器件损伤的DC/DC转换器辐射预兆单元设计  

Design of the Radiation Damage Prognostic Cell for DC/DC Converters Based On VDMOS Transistors Radiation Damage

作　　者：曹鹏辉[1] 杜磊[1] 包军林[2] 张婧婧[1] 陈晓东[1] 阎家铭[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学技术物理学院,陕西西安710071 [2]西安电子科技大学微电子学院,陕西西安710071

出　　处：《电子科技》2009年第9期4-7,共4页Electronic Science and Technology

基　　金：国家部委"十一五"预研基金资助项目(51312060104)

摘　　要：文中应用预警和健全管理(PHM)方法,在深入研究了辐射导致VDMOS器件和DC/DC转换器性能退化之间关系的基础上,设计了基于VDMOS器件损伤的DC/DC转换器辐射预兆单元。经过仿真证实了所设计的预兆单元可以提前报警。The method of alarm and PHM （Prognostics/Health Management） is introduced. The radiation damage relation between VDMOS transistors and DC/DC converters is investigated. According to this relation, a prognostic cell of DC/DC converter based on VDMOS transistors is designed. Simulation shows that the prognostic cell can alarm before DC/DC converters fail.

关 键 词：辐射 DC/DC转换器 VDMOS器件 预兆单元 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]