新型电流微调CMOS带隙基准源的设计  

Design of Novel Current Trimming CMOS Bandgap Reference

作　　者：吴日新[1] 戴庆元[1] 谢芳[1] 

机构地区：[1]上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海200240

出　　处：《半导体技术》2009年第9期919-922,共4页Semiconductor Technology

摘　　要：介绍了一个新型PTAT电流微调并具有关断模式的CMOS带隙基准源,通过数字控制信号逻辑的改变,可实现1.20～1.27V的基准输出。该带隙基准源采用TSMC0.18μm工艺进行电路和版图设计。仿真结果显示,在输出基准为1.24V的情况下,带隙基准源在-40～125℃,所有工艺角下的最大误差为23.07mV,其中tt工艺角下的温度系数为21×10-6/℃。电源电压为1.8V时,电源电流为63μA;关断模式下电流为93pA。10kHz的电源抑制比为44dB。A new voltage bandgap reference with current trimming and shutdown mode was presented. 1.20 tol.27 V reference output can be realized by different digital control code. The proposed bandgap reference was designed in TSMC 0.18 μm technology. Simulations show that when the output is 1.24 V, the proposed bandgap reference can reach maximum error of 23.07 mV at all corners and a temperature coefficient of 21 ×10^6/℃ at tt corner from - 40 to 125 ℃. It consumes 63μA of supply current under normal mode while 93 pA under shutdown mode. It also can reach a PSRR of 44 dB at 10 kHz.

关 键 词：CMOS带隙基准 电流微调 关断模式 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]