谢芳

作品数：3被引量：5H指数：2
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供职机构：上海交通大学微纳米科学技术研究院微米纳米加工技术国家级重点实验室更多>>
发文主题：模数转换器校准方法自动校准全差分电容失配更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《半导体技术》《微纳电子技术》《电子器件》更多>>
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一种新型CMOS集成降压源IP模块的设计被引量：2
《电子器件》2009年第6期1027-1030,共4页谢芳 戴庆元 
目前很多热插拔接口芯片,采用低电压短沟道工艺,从5 V电压得到3.3 V和1.2 V电压的稳压器就成为芯片的一部分。稳压器主要由带隙基准(BGR)、缓冲器、局部电压镜像和全局电流镜像组成。利用Spectre对降压源仿真表明:不带负载功耗280μA;3....
关键词：降压源 带隙基准 低功耗 共源输出 
基于16位SAR模数转换器的误差校准方法被引量：3
《微纳电子技术》2009年第10期636-639,共4页乔高帅 戴庆元 孙磊 谢芳 
为了实现较高精度(16位及更高)的逐次逼近(SAR)ADC,提出了一种误差自动校准技术。考虑到芯片面积、功耗和精度的折中,采用了电荷再分配分段电容DAC结构,并采用准差分输入方式提高ADC的信噪比。为了消除电容失配引入的误差,提出了一种误...
关键词：逐次逼近模数转换器 全差分 电容失配 自动校准 高精度 分段电容数模转换器 
新型电流微调CMOS带隙基准源的设计
《半导体技术》2009年第9期919-922,共4页吴日新 戴庆元 谢芳 
介绍了一个新型PTAT电流微调并具有关断模式的CMOS带隙基准源,通过数字控制信号逻辑的改变,可实现1.20～1.27V的基准输出。该带隙基准源采用TSMC0.18μm工艺进行电路和版图设计。仿真结果显示,在输出基准为1.24V的情况下,带隙基准源在-4...
关键词：CMOS带隙基准 电流微调 关断模式 
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