〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射及探测  

Radiation and detection of terahertz pulse in〈331〉 oriented ZnTe single crystal

作　　者：王仍[1] 葛进[1] 李栋[2] 胡淑红[1] 方维政[1] 戴宁[1] 马国宏[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理所红外国家重点实验室,上海200083 [2]上海大学物理学院,上海200444

出　　处：《光子学报》2009年第9期2330-2332,共3页Acta Photonica Sinica

基　　金：国家高技术研究发展计划(2006AA12Z135);中科院三期创新项目(C2-38和C2-22)资助

摘　　要：通过Te熔剂方法生长出〈331〉晶向的ZnTe体单晶,利用X射线衍射和红外透射显微技术对材料进行了测试.在钛-宝石激光器的泵浦下,利用〈331〉晶向的ZnTe晶体辐射-探测到太赫兹波,激发频谱可达5 THz左右.〈331〉晶向的ZnTe晶体表现出良好的太赫兹辐射性能.（331） oriented ZnTe crystals are grown by Te-solution method and the crystals are investigated by X-ray diffraction （XRD） and infrared transmission microscope technique. The （331） oriented ZnTe crystals pumped by Ti： Sapphire laser, are emitted and detected THz width about 5 THz. The（331） oriented ZnTe crystals grown by Te-solution method, exhibit good property of THz radiation.

关 键 词：太赫兹激发与探测 Ⅱ—Ⅵ族半导体材料 〈331〉晶向 

分 类 号：O472.3[理学—半导体物理]