FED的光刻技术  

LITHOGRAPHY TECHNOLOGY OF FED

作　　者：王邦江[1] 李德杰[1] 

机构地区：[1]清华大学电子工程系,北京100084

出　　处：《微细加工技术》1998年第3期46-50,共5页Microfabrication Technology

基　　金：彩虹集团资助的 FED研究项目

摘　　要：通过数值计算分析了 FED接触光刻的中衍射效应 ,并在现有的条件下实现了一种简单而实用的大面积一微米直径微孔的接触光刻方法。The diffraction effect in contact lithography of FED is analyzed through the numerical calculation.A simple and effective method is given for realizing the lager area contact lithography of holes with the diameter of 1μm under the current conditions.

关 键 词：费涅尔衍射 场发射 平板显示器 FED 光刻 

分 类 号：TN873.91[电子电信—信息与通信工程] TN305.7