PECVD a-SiNx:H的~1H NMR研究  

~1H NMR Studies of PECVD a-SiNx:H

作　　者：翁丽敏[1] 何奕骅[1] 范焕章[1] 许春芳[1] 杨光[2] 邬学文[2] 

机构地区：[1]华东师范大学电子科学技术系,上海200062 [2]华东师范大学分析测试中心,上海200062

出　　处：《华东师范大学学报（自然科学版）》1998年第3期40-47,共8页Journal of East China Normal University(Natural Science)

基　　金：国家自然科学基金!19374023

摘　　要：用质子核磁共振（1HNMR）方法对等离子体化学气相淀积非晶氢化氮化硅薄膜（PECVD－α－SiNx：H）进行测量，分析膜中H的含量和分布与淀积温度、射频功率等工艺条件的关系，以及退火的影响。Using proton nuclear magnetic menance (1H NMR) to detemine plasma - chem italvapour - deposited amorphous hydrogenated silicon nitride (PECVD a - SiNx:H) films, the effects of deposition temperature, rf power and annealing temperature on the hydrogen density and microstructure of α - SiNx: H are analyed.

关 键 词：氢原子 核磁共振 非晶氢化氮化硅 薄膜 PECVD 

分 类 号：O484.5[理学—固体物理]